logo

TOP هو موزع المكونات الإلكترونية المهنية في الصين.

نحن نقدم خدمة حل وقفة واحدة ، من وحدات الاتصال ، والهوائيات ، وثنائي الفينيل متعدد الكلور ، PCBA ، وجميع المكونات لثنائي الفينيل متعدد الكلور بوم.

منزل
المنتجات
حول بنا
جولة في المعمل
ضبط الجودة
اتصل بنا
طلب اقتباس
منزل المنتجات

مكونات الدوائر المتكاملة

الصين TOP Electronic Industry Co., Ltd. الشهادات
الصين TOP Electronic Industry Co., Ltd. الشهادات
منتج ممتاز ، ونوعية جيدة ، وبأسعار تنافسية ، والخدمات المهنية ، مع التعاون 10 سنوات ، والآن أصبحنا أصدقاء حميمين بعضنا البعض.

—— رونالد من بويلفيا

إنه لمن دواعي سرورنا أن تجد TOP كشريك لنا في الصين ، وهنا يمكننا الحصول على أفضل المنتجات و serice ، فإنها تضع دائما العميل في المقام الأول.

—— كارلوس من الأرجنتين

أنا راضٍ جدًا عن جميع خدماتك. إنه حقا فريق جيد! مع عرض الحل وقفة واحدة ، يساعدنا على توفير الكثير من الوقت والمال

—— جيانكارلو من إيطاليا

ابن دردش الآن

مكونات الدوائر المتكاملة

(565)
الصين مضخم تشغيل صوتي فائق الضوضاء المنخفضة LM4562MAX Hi-Fi 2.7 نانو فولت/√هرتز عرض نطاق 2.5 ميجاهرتز معدل انحدار 20 فولت/ميكروثانية ±2.5 إلى ±17 فولت إمداد 140 ديسيبل CMRR 120 ديسيبل PSRR حزمة SOIC-8 مصنع

مضخم تشغيل صوتي فائق الضوضاء المنخفضة LM4562MAX Hi-Fi 2.7 نانو فولت/√هرتز عرض نطاق 2.5 ميجاهرتز معدل انحدار 20 فولت/ميكروثانية ±2.5 إلى ±17 فولت إمداد 140 ديسيبل CMRR 120 ديسيبل PSRR حزمة SOIC-8

مضخم صوت LM4562MAX منخفض الضوضاء للغاية عالي الدقة سمات المنتج السمة القيمة الوظيفة رفع، خفض تكوين الإخراج إيجابي أو سلبي الطوبولوجيا باك، بوست نوع الإخراج قابل للتعديل عدد المخرجات 1 الميزات يقود بسهولة أحمال ... قراءة المزيد
2025-12-16 13:14:05
الصين قناة N + P مزدوجة IRF7420TRPBF ±5.3A 20V SOIC-8 0.045Ω Rds ((on) 1.8V مستوى منطقية التبديل السريع إدارة الطاقة عالية الكفاءة تخزين المساحة التصميم مصنع

قناة N + P مزدوجة IRF7420TRPBF ±5.3A 20V SOIC-8 0.045Ω Rds ((on) 1.8V مستوى منطقية التبديل السريع إدارة الطاقة عالية الكفاءة تخزين المساحة التصميم

IRF7420TRPBF ثنائي القناة N+P ±5.3A 20V SOIC-8 MOSFET المواصفات الرئيسية الوظيفة رفع، خفض تكوين الإخراج موجب أو سالب الطوبولوجيا باك، بوست نوع الإخراج قابل للتعديل عدد المخرجات 1 وصف المنتج تتميز MOSFET للطاقة ... قراءة المزيد
2025-12-16 13:14:05
الصين مقاومة منخفضة جدًا Rds(on) 0.02Ω IRF4905PBF P-Channel -55A -60V TO-220 حزمة بوابة مستوى منطقي مصنفة للانهيار الجليدي عالية التيار قوية شحن بوابة منخفض 110nC تبديل سريع كفاءة طاقة عالية مصنع

مقاومة منخفضة جدًا Rds(on) 0.02Ω IRF4905PBF P-Channel -55A -60V TO-220 حزمة بوابة مستوى منطقي مصنفة للانهيار الجليدي عالية التيار قوية شحن بوابة منخفض 110nC تبديل سريع كفاءة طاقة عالية

Rds (على) 0.02Ω IRF4905PBF قناة P -55A -60V إلى 220 حزمة سمات المنتج الصفة القيمة الوظيفة خطوة للأعلى، خطوة لأسفل تكوين الإخراج إيجابية أو سلبية الطوبولوجيا (باك) ، (بوست) نوع الإخراج قابلة للتعديل عدد المخرجات ... قراءة المزيد
2025-12-16 13:14:05
الصين مُصغّر جدًا HCPL-0631-500E عالي الـ CMR 3.5kV/µs 10kV/µs عزل 1mA تيار منخفض درجة حرارة عالية 110 درجة مئوية عزل 5kV عالي السرعة 1MBd واسع Vcc 2.7-5.5V حزمة SOIC-8 مصنع

مُصغّر جدًا HCPL-0631-500E عالي الـ CMR 3.5kV/µs 10kV/µs عزل 1mA تيار منخفض درجة حرارة عالية 110 درجة مئوية عزل 5kV عالي السرعة 1MBd واسع Vcc 2.7-5.5V حزمة SOIC-8

HCPL-0631-500E فائق الصغر، عالي CMR، عزل 3.5 كيلو فولت/ميكروثانية، 10 كيلو فولت/ميكروثانية، تيار منخفض 1 مللي أمبير، درجة حرارة عالية 110 درجة مئوية، عزل 5 كيلو فولت، سرعة عالية 1 ميجابايت في الثانية، نطاق واسع ... قراءة المزيد
2025-12-16 13:14:05
الصين FM24CL04B-G ذاكرة وصول عشوائي دائمة 4 كيلوبايت 5 فولت مع تحمل غير محدود، كتابة بدون تأخير 150 نانوثانية، واجهة I2C بتردد 1 ميجاهرتز، 10^14 دورة قراءة/كتابة، تيار استعداد منخفض 50 ميكرو أمبير، واحتفاظ بالبيانات لمدة 40 عامًا مصنع

FM24CL04B-G ذاكرة وصول عشوائي دائمة 4 كيلوبايت 5 فولت مع تحمل غير محدود، كتابة بدون تأخير 150 نانوثانية، واجهة I2C بتردد 1 ميجاهرتز، 10^14 دورة قراءة/كتابة، تيار استعداد منخفض 50 ميكرو أمبير، واحتفاظ بالبيانات لمدة 40 عامًا

FM24CL04B-G 4Kb 5V FRAM مع تحمل غير محدود 150ns بدون تأخير يكتب 1MHz واجهة I2C 10 ^ 14 دورات القراءة / الكتابة منخفضة 50μA تيار الاستعداد وحفظ البيانات لمدة 40 عامًا سمات المنتج الصفة القيمة الوظيفة خطوة للأعلى... قراءة المزيد
2025-12-16 13:14:05
الصين CSD17522Q5A 25V/4.7mΩ NexFET MOSFET مع نبض 40A 1.5V Max VGS ((th) AEC-Q101 المؤهل SON 5x6mm حزمة خالية من الهالوجين ومنخفضة للغاية Qg and Qgd مصنع

CSD17522Q5A 25V/4.7mΩ NexFET MOSFET مع نبض 40A 1.5V Max VGS ((th) AEC-Q101 المؤهل SON 5x6mm حزمة خالية من الهالوجين ومنخفضة للغاية Qg and Qgd

CSD17522Q5A 25V/4.7mΩ NexFET MOSFET مع نبض 40A 1.5V Max VGS ((th) AEC-Q101 المؤهل SON 5x6mm حزمة خالية من الهالوجين ومنخفضة للغاية Qg و Qgd سمات المنتج الصفة القيمة الوظيفة خطوة للأعلى، خطوة لأسفل تكوين الإخراج ... قراءة المزيد
2025-12-16 13:14:05
الصين SPX3819M5-L-3-3/TR 3.3V 500mA ضوضاء منخفضة للغاية (30μVRMS) LDO مع تمكين دقة 1 ٪ من التيار التردد المنخفض والحماية الحرارية ومدى الدخول الواسع 2.7V-16V مصنع

SPX3819M5-L-3-3/TR 3.3V 500mA ضوضاء منخفضة للغاية (30μVRMS) LDO مع تمكين دقة 1 ٪ من التيار التردد المنخفض والحماية الحرارية ومدى الدخول الواسع 2.7V-16V

SPX3819M5-L-3-3/TR 3.3V 500mA ضوضاء منخفضة للغاية (30μVRMS) LDO مع تمكين سمات المنتج الصفة القيمة الوظيفة خطوة للأعلى، خطوة لأسفل تكوين الإخراج إيجابية أو سلبية الطوبولوجيا (باك) ، (بوست) نوع الإخراج قابلة للتع... قراءة المزيد
2025-12-16 13:14:04
الصين TPS26600PWPR 42 فولت/3 أمبير eFuse مع استهلاك تيار منخفض جدًا، عتبة حماية من الجهد الزائد بنسبة ±1.5%، حد تيار قابل للتعديل، مؤشر طاقة جيد، حماية من القطبية العكسية، وحماية الإدخال/الإخراج مصنع

TPS26600PWPR 42 فولت/3 أمبير eFuse مع استهلاك تيار منخفض جدًا، عتبة حماية من الجهد الزائد بنسبة ±1.5%، حد تيار قابل للتعديل، مؤشر طاقة جيد، حماية من القطبية العكسية، وحماية الإدخال/الإخراج

TPS26600PWPR 42V/3A eFuse مع الحد الأدنى للغاية لـ IQ ±1.5% OVP عتبة قابلة للتعديل حد التيار حماية جيدة للطاقة قطبية عكسية وحماية الإدخال/الإخراج سمات المنتج السمة القيمة الوظيفة رفع، خفض تكوين الإخراج موجب أو ... قراءة المزيد
2025-12-16 13:14:04
الصين مسجل إزاحة 74HC595D، 8 بت، تسلسلي إلى متوازي، خرج تسلسلي، مزلاج، خرج ثلاثي الحالة عالي التيار، جهد تشغيل واسع (2 فولت - 6 فولت)، استهلاك منخفض للطاقة، وسهل التوصيل المتسلسل مصنع

مسجل إزاحة 74HC595D، 8 بت، تسلسلي إلى متوازي، خرج تسلسلي، مزلاج، خرج ثلاثي الحالة عالي التيار، جهد تشغيل واسع (2 فولت - 6 فولت)، استهلاك منخفض للطاقة، وسهل التوصيل المتسلسل

مسجل إزاحة 74HC595D 8 بت تسلسلي إلى متوازي سمات المنتج السمة القيمة الوظيفة تصعيد، تنزيل تكوين الإخراج إيجابي أو سلبي الطوبولوجيا باك، بوست نوع الإخراج قابل للتعديل عدد المخرجات 1 وصف المنتج 74HC595D عبارة عن م... قراءة المزيد
2025-12-16 13:14:04
الصين TPS5430DDAR 3A 5.5-36V عريض المدخل تحويل خطوة إلى أسفل 500kHz التبديل الكفاءة العالية (حتى 95%) تعويض داخلي الطاقة إشارة جيدة الحرارية / UVLO الحماية حزمة SOIC-8 مصنع

TPS5430DDAR 3A 5.5-36V عريض المدخل تحويل خطوة إلى أسفل 500kHz التبديل الكفاءة العالية (حتى 95%) تعويض داخلي الطاقة إشارة جيدة الحرارية / UVLO الحماية حزمة SOIC-8

TPS5430DDAR محول تنحّي واسع النطاق بجهد 3 أمبير، 5.5-36 فولت، بتردد تحويل 500 كيلوهرتز، كفاءة عالية (تصل إلى 95%)، تعويض داخلي، إشارة جيدة للطاقة، حماية حرارية/UVLO، حزمة SOIC-8 وnbsp; الميزات وbull; نطاق جهد ا... قراءة المزيد
2025-12-16 13:14:04
Page 24 of 57|< 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 >|