TOP هو موزع المكونات الإلكترونية المهنية في الصين.

نحن نقدم خدمة حل وقفة واحدة ، من وحدات الاتصال ، والهوائيات ، وثنائي الفينيل متعدد الكلور ، PCBA ، وجميع المكونات لثنائي الفينيل متعدد الكلور بوم.

المبيعات والدعم الفنى:

Arabic

Home
Products
About Us
Factory Tour
Quality Control
Contact Us
طلب اقتباس

منزل المنتجات

وحدة الطاقة IGBT

جميع المنتجات

وحدة 4G 5G (37)

وحدة الاتصال اللاسلكي (38)

نظام تحديد المواقع وحدة الاستقبال (11)

وحدات الطاقة المتكاملة (4)

وحدة الطاقة IGBT (24)

مكونات الدوائر المتكاملة (523)

المكونات الإلكترونية السلبية (80)

مكاسب عالية هوائي GPS (14)

هوائي الاتصال اللاسلكي (30)

كومبو الهوائي (14)

الهوائي منخفض التردد (5)

هوائي التلفزيون الرقمي (7)

RF الكابل المحوري (9)

RF موصل محوري (10)

ثنائي الفينيل متعدد الكلور الجمعية خدمات (5)

قالب طرفيّ وصلة (16)

الصين TOP Electronic Industry Co., Ltd. الشهادات

منتج ممتاز ، ونوعية جيدة ، وبأسعار تنافسية ، والخدمات المهنية ، مع التعاون 10 سنوات ، والآن أصبحنا أصدقاء حميمين بعضنا البعض.

—— رونالد من بويلفيا

إنه لمن دواعي سرورنا أن تجد TOP كشريك لنا في الصين ، وهنا يمكننا الحصول على أفضل المنتجات و serice ، فإنها تضع دائما العميل في المقام الأول.

—— كارلوس من الأرجنتين

أنا راضٍ جدًا عن جميع خدماتك. إنه حقا فريق جيد! مع عرض الحل وقفة واحدة ، يساعدنا على توفير الكثير من الوقت والمال

—— جيانكارلو من إيطاليا

ابن دردش الآن

SK70KQ16 1600V 70A Quick IGBT Module Low Vce(sat) 2.3V Fast Turn-off Soft Recovery Diode High Temp 150°C Low Loss High Power Density For Compact UPS and Inverters

SK70KQ16 1600V 70A Quick IGBT Module Low Vce(sat) 2.3V Fast Turn-off Soft Recovery Diode High Temp 150°C Low Loss High Power Density For Compact UPS and Inverters

SEMIX341D16S 1600V 450A IGBT Half-Bridge Module Low Vce(sat) Fast Switching Soft Recovery Diode High Temp 175°C Low Loss Industrial Grade For UPS and Solar Inverters

NH1GG69V250P 1250V 250A وحدة MOSFET SiC Rds منخفضة ((on)) 3.3mΩ التبديل السريع التردد العالي الخسارة المنخفضة كثافة الطاقة العالية الصناعية للجهاز التحويل الكهروضوئي ومحركات المحرك

NH1GG69V125P 1250V 69A وحدة SiC MOSFET Rds منخفضة ((على) 11mΩ التبديل السريع التردد العالي درجة الحرارة العالية 175 °C خسارة منخفضة الصناعية للطاقة الشمسية والحركات الصناعية

NCE6050A 60V 50A SiC MOSFET Rds المنخفضة ((on) 18mΩ التبديل السريع التردد العالي الكفاءة العالية الأداء القوي TO-247 حزمة لخوادم SMPS ومحركات المحرك

وحدة الطاقة IGBT

(24)

7MBR35SB120-50 1200 فولت/35 أمبير وحدة IGBT سبعة في واحد مع دائرة فرملة مدمجة ومقاوم حراري مدمج (NTC) وانخفاض VCE(sat) وتبديل عالي السرعة وهيكل مدمج وجودة صناعية لمحركات التيار المتردد وأنظمة UPS
اتصل

7MBR35SB120-50 1200V/35A وحدة IGBT سبعة في واحد، دائرة فرملة مدمجة، NTC مدمج، VCE(sat) منخفض، تبديل عالي السرعة، هيكل مدمج، درجة صناعية لمحركات التيار المتردد وأنظمة UPS الميزات VcE(sat) منخفض حزمة مدمجة تركيب ... قراءة المزيد

2025-11-24 11:33:01

1MBI2400VD-170E 1700V/2400A وحدة IGBT التكوين المزدوج VCE منخفضة ((sat) التبديل عالي السرعة مدمج في NTC لوح قاعدة معزول الصناعية للبرامج اللاسلكية والمعاملات الشمسية
اتصل

1MBI2400VD-170E 1700V/2400A وحدة IGBT التكوين المزدوج VCE منخفضة ((sat) التبديل عالي السرعة مدمج في NTC لوح قاعدة معزول الصناعية للبرامج اللاسلكية والمعاملات الشمسية الخصائص التبديل عالي السرعة محرك الجهد هيكل ... قراءة المزيد

2025-11-20 18:18:17

NH1GG69V250P IGBT Module 250A High Current 1200V Voltage Low Vce(sat) High Efficiency Robust Isolation 175°C Rating Compact Design for Industrial Drives and UPS Systems
اتصل

NH1GG69V250P IGBT Module 250A High Current 1200V Voltage Low Vce(sat) High Efficiency Robust Isolation 175anddeg;C Rating Compact Design for Industrial Drives andamp; UPS Systems andnbsp; Features Dimensions ... قراءة المزيد

2025-10-23 18:23:50

NH1GG69V125P IGBT 125A/1200V طاقة انخفاض الخسائر الكفاءة العالية 175 درجة مئوية صلابة العزل الكامل بنية مضغوطة لغيرات الصناعية والسيارات الكهربائية
اتصل

NH1GG69V125P IGBT 125A/1200V طاقة منخفضة الفقدان كفاءة عالية 175 درجة مئوية متانة عزل كامل بناء مضغوط للعواكس الصناعية والمركبات الكهربائية andnbsp; الميزات الأبعاد وفقًا للمواصفة DIN 43 620 الأجزاء من 1 إلى 4 ... قراءة المزيد

2025-10-23 18:23:47

Page 3 of 3|< << 1 2 3 >> >|

وحدة الطاقة IGBT

وحدة الطاقة IGBT

1MBI2400VD-170E 1700V/2400A وحدة IGBT التكوين المزدوج VCE منخفضة ((sat) التبديل عالي السرعة مدمج في NTC لوح قاعدة معزول الصناعية للبرامج اللاسلكية والمعاملات الشمسية اتصل

NH1GG69V250P IGBT Module 250A High Current 1200V Voltage Low Vce(sat) High Efficiency Robust Isolation 175°C Rating Compact Design for Industrial Drives and UPS Systems اتصل

NH1GG69V125P IGBT 125A/1200V طاقة انخفاض الخسائر الكفاءة العالية 175 درجة مئوية صلابة العزل الكامل بنية مضغوطة لغيرات الصناعية والسيارات الكهربائية اتصل

1MBI2400VD-170E 1700V/2400A وحدة IGBT التكوين المزدوج VCE منخفضة ((sat) التبديل عالي السرعة مدمج في NTC لوح قاعدة معزول الصناعية للبرامج اللاسلكية والمعاملات الشمسية
اتصل

NH1GG69V250P IGBT Module 250A High Current 1200V Voltage Low Vce(sat) High Efficiency Robust Isolation 175°C Rating Compact Design for Industrial Drives and UPS Systems
اتصل

NH1GG69V125P IGBT 125A/1200V طاقة انخفاض الخسائر الكفاءة العالية 175 درجة مئوية صلابة العزل الكامل بنية مضغوطة لغيرات الصناعية والسيارات الكهربائية
اتصل